NCP1342驱动氮化镓国产替代—PN8213

  目前国内市场上手机、笔记本、平板等电子科技类产品的GaN快充产品的核心器件—GaN驱动IC，大多数都依赖进口，骊微电子推出NCP1342驱动氮化嫁国产替代芯片—PN8213，适用于65W氮化镓充电器芯片方案。

  PN8213工作于准谐振模式的控制芯片，供电电压9~57V，空载待机功耗

  <，通过dmg脚实现精确的谷底开通，最高工作频率可通过fset脚设置。当系统处于重载或中载下，芯片工作在valley-lock mode;随着负载减轻，芯片会进入pfm降低工作频率；当系统处于极轻载下，芯片会进入burst mode以降低待机功耗。内部集成了电流模式控制器和高压启动模块，专用于高性能的快速充电开关电源。

  PN8213在驱动、芯片供电、电路等都做了进一步的优化，将驱动集成于芯片内，能够直接供电给氮化镓芯片，可兼容代换ON安森美NCP1342，针对快充应用，PN8213外围电路更简单，并具有较大的成本及供货优势。凭借其高度集成的芯片和简洁的电路，以及完整的解决方案，实现了65W氮化镓充电器芯片的国产替代

  欧洲大约一半的电力流入电力驱动。因此，欧盟委员会和成员国政府制定了法规和标准，使电力消耗尽可能高效，电网需求尽可能低也就不足为奇了。变速驱动器（VSD）现已成为行业标准，因为与旧的恒速感应电机相比，它们可降低高达90%的能耗。同时，它能减小尺寸并提高性能和可靠性。 IEC 61000等标准旨在保证电网稳定性，因为特别是电机等大型感性用电设备会严重破坏本地电网。为此有多种解决方案，例如功率因数校正（PFC），以优化每个负载点电网的有功功耗。 氮化镓改进性能和成本 氮化镓（GaN）是一种具有宽带隙的半导体，其开关速度比硅元件快20倍，并能处理高达三倍的功率密度。如果在电机驱动器的PFC和转换器级中使用GaN开关，则可以显

  器分析 /

  RFMD和TriQuint的合并、英飞凌收购International Rectifier和Wolfspeed，恩智浦（NXP）收购飞思卡尔（Freescale），即使近期这类并购新闻铺天盖地，但GaN设备供应链依旧增长，并显示出多元化。 Strategy Analytics高级半导体应用（ASA）服务发布的最新研究报告《2015年GaN供应链公司概述》列出了37家为RF(射频)和电子电力应用制造GaN设备的厂商。该报告研究了这些厂商在2015年的收益、工序、设施、产品和新闻发布，并针对这一些企业GaN发展的未来潜在客户提供洞察。该报告同样涵盖了2015年RF GaN营收的市场占有率。 Strategy Analytics高级

  近年来，由于氮化镓(GaN)在高频下的较高功率输出和较小的占位面积，GaN已被RF工业大量采用。根据两个主要使用在：电信基础设施和国防，推动整个氮化镓射频市场预计到2024年成长至20亿美元，产业研究机构Yole Développement(Yole)的研究报告说明，过去十年，全球电信基础设施投资保持稳定，在该市场中，更高频率的趋势为5G网路中频率低于6GHz的PA中的RF GaN提供了一个最佳发展的动力。 自从20年前第一批商用产品出现以来，GaN已成为射频功率应用中LDMOS和GaAs的重要竞争对手，并以更低的成本逐步的提升性能和可靠性。第一个GaN-on-SiC和GaN-on-Si元件几乎同时出现，但GaN-on-SiC在技

  射频市场预计突破20亿美元 /

  北卡罗来纳州 、Greensboro ，2010 年 11 月 9 日 -- 日前，高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者 RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq 股市代号：RFMD）宣布，RFMD® 已通过并生产 RF3932，这种无与伦比的 75 瓦特高效率氮化镓 (GaN) 射频功率晶体管 (UPT) 比砷化镓和硅工艺技术的性能更出色。   RF3932 是继最近 140 瓦特 RF3934 推出之后的续推产品，RF3934是 RFMD 的 UPT 系列中输出功率最高的器件。 RFMD 计划在 2010 年第一季度推出第三个氮化镓 UPT 器件，以扩大其氮化镓功率晶体

  一场无声的战役已在全球两大手机SoC巨头间打响—— 近日，联发科首度发布天玑5G开放架构，支持OEM弹性定制化5G移动电子设备。上述消息一出，便有评论称这将是对老对手高通的致命打击。据悉，联发科的芯片定制化服务和IP产品组合目前已覆盖了当前大量的应用场景。 而就在今年3月，高通宣布成功收购NUVIA，或者一家专门设计用在所有应用程序的基于ARM的定制CPU的公司。这在某种程度上预示着高通正在寻求将高端集成CPU设计纳入其产品组合，和创建组合5G SoC设计的可能性。 两大巨头的选择再一次印证，定制化，正在成为手机“内卷”时代的突破口，同样，也是半导体经历由PC、手机里领衔的标准化时代后，进入定制化时代的又一写照。由此带来的本地化趋势，则将是国

  “汽车智能电动化发展，于汽车压力传感器而言从来都不是负面消息。”日前，在与武汉飞恩微电子有限公司（以下简称为飞恩微电子）总经理 王小平先生沟通时，他如是表示。 毫无疑问，我们正站在百年未有之大变革的十字路口，此前所预判的节能与新能源汽车新车渗透率各占一半大概率将提前实现，纯燃油车的时代正在加速退场。 中国电动汽车百人会理事长陈清泰进一步指出，未来汽车对传统汽车的颠覆性，将使传统零部件体系的50%以上面临重构，内燃机动力系统相关领域岌岌可危，其中便包括大范围的使用在动力系统中的压力传感器。 这在王小平看来，汽车产业新旧赛道切换，势必将给传统压力传感器带来冲击，但同样蕴藏更多发展机遇。 拐点初现，百亿赛道迎来发展新机遇

  正当时 /

  汽车电子专家海拉，联合领先的氮化镓 功率晶体管 制造商氮化镓系统公司( GaN  Systems)，以及凯特琳大学先进电力电子实验室充电技术领域学者成功研制了一台两电平 电动汽车充电器 样机，样机取得前所未有的功率密度2.6千瓦/升，效率超过97%。在这台样机之前，两电平电动汽车充电器最大效率为94%。通过在创新型两级电路结构中采用氮化镓系统公司60A，650V  GS66516T 功率晶体管，凯特琳大学电气工程系副教授白凯文博士领导的科研团队能够提升充电系统效率，比之前高出3%。   白博士和他的团队是著名充电技术领域科研团队，通过与其他公司合作来帮助推进充电技术发展。白博士对这个成果的重要性评论说: “采用氮化镓系统公司产

  相比于氮化镓体材料，二维氮化镓因其两字限制效应具有深紫外区间的带隙、优秀的机械应变能力和独特的电子传输性质，在深紫外光电子器件和柔性器件领域具有广阔的应用前景。然而由于纤锌矿的体结构，二维氮化镓难以通过机械剥离法直接获得。目前制备大面积的具有超宽带隙的二维氮化镓依然是一个大的挑战。 近日，中国人民大学物理学系陈珊珊教授团队采用等离子体增强化学气相沉积系统（PECVD）合成了大面积超薄、宽带隙的二维氮化镓。相比于传统使用的氨气，该工作采用对环境友好的氮气作为氮源，对预先沉积在硅片上的氧化镓模板进行了氮化（图1），通过平衡同时发生的氮等离子体的氮化和刻蚀，实现了双层氮化镓的可控制备。实验发现，沉积在硅片表面最下层氧化镓模板由于与硅

  可控制备方面获新进展 /

  功率晶体管技术

  【电路】600VIL4216／700VIL4217／800VIL4218型双向可控硅驱动光耦合电路

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